第三代半導(dǎo)體將迎大爆發(fā)？ 來(lái)還有望用于無(wú)線充電器

。由于材料不同，熱膨脹系數(shù)和晶格常數(shù)不匹配，會(huì)造成異質(zhì)外延材料缺陷高。這時(shí)候，碳化硅的優(yōu)勢(shì)就顯現(xiàn)出來(lái)了。碳化硅晶體可以在碳化硅襯底上同質(zhì)生長(zhǎng)，缺陷密度低，可以充分發(fā)揮碳化硅耐高壓特性，器件耐壓能力很容易達(dá)到1200伏—1700伏。碳化硅功率開(kāi)關(guān)器件適合高溫、高壓、大功率應(yīng)用場(chǎng)景，未來(lái)將與“基于硅的絕緣柵雙極晶體管”形成市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，目前主要應(yīng)用在電動(dòng)車和充電樁。“碳化硅已經(jīng)用于特斯拉電動(dòng)車，將來(lái)也適用于電網(wǎng)、機(jī)車牽引以及航天航空領(lǐng)域。”

第三代半導(dǎo)體之前僅小范圍應(yīng)用

，為何這兩年會(huì)成為爆發(fā)的節(jié)點(diǎn)?“其實(shí)我國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)能力并不弱，比如，華為就自主研發(fā)了7納米麒麟芯片。我國(guó)的集成電路行業(yè)‘短板’主要集中在原材料、設(shè)計(jì)軟件和制造設(shè)備上，所以才導(dǎo)致小尺寸硅集成電路加工受制于人。而第三代半導(dǎo)體，器件完全可以采用現(xiàn)有的大尺寸器件加工平臺(tái)完成，例如，功率開(kāi)關(guān)器件，只需0.35微米—0.5微米加工工藝，制造線稍加改造調(diào)整即可。第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用大爆發(fā)，也可以看作是‘彎道超車’，希望我們國(guó)家在這方面贏得時(shí)機(jī)