第三代半導(dǎo)體來(lái)勢(shì)洶洶 化合物半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新風(fēng)貌

。

半導(dǎo)體行業(yè)中有“一代材料

、一代技術(shù)、 一代產(chǎn)業(yè)”的說(shuō)法、第二代半?dǎo)體材料工藝逐漸接近物理極限，有望突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)瓶頸的第三代半導(dǎo)體材料成為行業(yè)發(fā)展的寵兒。

事實(shí)上

，國(guó)內(nèi)之所以將半導(dǎo)體材料以“代”來(lái)劃分，多少緣自于隨著半導(dǎo)體材料的大規(guī)模應(yīng)用而來(lái)的三次產(chǎn)業(yè)革命。

第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)為代表，其取代了笨重的電子管

，推動(dòng)了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展。

第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)等為主

，磷化銦半導(dǎo)體激光器是光通信系統(tǒng)的關(guān)鍵器件，砷化鎵高速器件更開(kāi)拓了光纖及移動(dòng)通信新產(chǎn)業(yè)。

而以碳化硅(SiC)

、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料則有效推動(dòng)著半導(dǎo)體照明、顯示、電力汽車等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看

，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率(低壓條件下的高頻工作性能)、飽和漂移速率(高壓條件下的高頻工作性能)、禁帶寬度(器件的耐壓性能