搶占研發(fā)制高點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體已大規(guī)模應(yīng)用

。當(dāng)然我們還需要不斷努力，在電力總量攀升的同時(shí)降低傳輸過程中的消耗，推動(dòng)碳達(dá)峰、碳中和目標(biāo)早日實(shí)現(xiàn)。”郝躍說。

碳基技術(shù)有望取代硅基技術(shù)

中國(guó)科學(xué)院院士

、北京大學(xué)教授彭練矛表示，隨著芯片制造工藝逼近2納米，硅基芯片材料的潛力已基本被挖掘殆盡，無法滿足行業(yè)未來進(jìn)一步發(fā)展的需要，啟用新材料是公認(rèn)的從根本上解決芯片性能問題的出路。

彭練矛指出

，碳納米管擁有完美的結(jié)構(gòu)、超薄的導(dǎo)電通道、極高的載流子遷移率和穩(wěn)定性，未來有望取代傳統(tǒng)的硅基集成電路技術(shù)。面向后摩爾時(shí)代，中國(guó)現(xiàn)已基本解決碳納米管面臨的挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)了整套的碳納米管集成電路和光電器件制備技術(shù)，同時(shí)也在碳納米管的無摻雜技術(shù)研究方面取得重大突破，使得我國(guó)在碳基芯片的基礎(chǔ)研究方面邁入全球發(fā)展前列。

暢想未來

，彭練矛認(rèn)為碳基技術(shù)有望全方位影響現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。我國(guó)應(yīng)抓住這一歷史機(jī)遇，從材料開始，總結(jié)過往經(jīng)驗(yàn)，通過發(fā)展碳基芯片，實(shí)現(xiàn)中國(guó)芯片的彎道超車?div id="4qifd00" class="flower right">