發(fā)展硬科技

，引領(lǐng)大灣區(qū)芯片行業(yè)先進(jìn)封裝，佰維存儲要做全球存儲技術(shù)第一梯隊

！

，都讓存儲+先進(jìn)封裝走上了舞臺的中央，能夠占據(jù)先機(jī)和受到龍頭客戶認(rèn)可的核心供應(yīng)商自然也就獲得了溢價能力。

二、發(fā)展硬科技

，引領(lǐng)大灣區(qū)半導(dǎo)體先進(jìn)封測

風(fēng)云君注意到

，最近的3月18日，佰維存儲的定增申請剛剛被批準(zhǔn)。此次公司計劃募資19億，重點投向惠州佰維封測項目的擴(kuò)建和東莞晶圓級先進(jìn)封測項目。尤其是后者，堪稱AI時代新的核心競爭力。

佰維存儲這次定增中計劃為晶圓級先進(jìn)封測項目投入募集資金10.2億

，截止2024年12月10日公司已使用自有資金投入3.7億元。晶圓級先進(jìn)封測項目的實施地點是東莞市松山湖，實施主體是子公司芯成漢奇。

之所以強(qiáng)調(diào)東莞的晶圓級先進(jìn)封測項目，是因為其中有三項新增的核心能力

，分別是凸塊工藝、RDL布線工藝和存算合封。這些都是實打?qū)嵉挠部萍?div id="4qifd00" class="flower right">

，凸塊工藝能夠增加接口數(shù)量，提高傳輸速率，而且降低厚度。

以帶主控芯片的NAND存儲器為例

，凸塊工藝可以在主控芯片上方制作凸塊，然后通過倒裝方式與基板連接(下圖右側(cè))。

2、重布線(RDL)

然后是重布線工藝

，這一工藝可以用在LPDDR的封裝上。LPDDR也就是我們常說的手機(jī)運行內(nèi)存。

通過制作RDL重布線層替代基板

，可以把LPDDR的厚度從原來的710μm降低到500μm，從而滿足智能手機(jī)輕薄化的需求。

3

、存算合封

最后是存算合封技術(shù)，可以將存儲和計算芯片封裝在一起

。

通過使用凸塊、重布線等晶圓級先進(jìn)封裝工藝

，可以讓存算芯片之間的連接通道增加且距離縮短，實現(xiàn)存儲芯片之間的多通道垂直互聯(lián)，從而大幅提升數(shù)據(jù)存儲和讀取速率。

2024年4月，佰維的東莞晶圓級先進(jìn)封測項目被列入廣東省省重點建設(shè)項目

，建成后將成為廣東首個晶圓級先進(jìn)封裝工廠。

公司通過晶圓級先進(jìn)封測制造項目構(gòu)建晶圓級先進(jìn)封裝能力

，一方面可以滿足先進(jìn)存儲封裝需求，為公司研發(fā)和生產(chǎn)先進(jìn)存儲產(chǎn)品構(gòu)建技術(shù)基礎(chǔ)，提供相關(guān)封裝產(chǎn)能;另一方面可以與公司存儲業(yè)務(wù)協(xié)同，服務(wù)公司客戶對于存算合封業(yè)務(wù)的需求，為相關(guān)客戶提供存儲+先進(jìn)封測服務(wù)